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RFP3055LE相关型号

  • FCPF400N60

    通孔 N 通道 600 V 10A（Tc） 31W（Tc） TO-220F-3

  • FCB11N60TM

    表面贴装型 N 通道 600 V 11A（Tc） 125W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • FDP2710

    通孔 N 通道 250 V 50A（Tc） 260W（Tc） TO-220-3

  • FDPF045N10A

    通孔 N 通道 100 V 67A（Tc） 43W（Tc） TO-220F-3

  • FCP190N60E

    通孔 N 通道 600 V 20.6A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3

  • FDB082N15A

    表面贴装型 N 通道 150 V 117A（Tc） 294W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • FDA69N25

    通孔 N 通道 250 V 69A（Tc） 480W（Tc） TO-3PN

  • HUF75344G3

    通孔 N 通道 55 V 75A（Tc） 285W（Tc） TO-247-3

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • RFP3055LE

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：通孔 N 通道 60 V 11A（Tc） 38W（Tc） TO-220-3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）107 毫欧 @ 8A，5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）11.3 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）350 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）38W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220-3
  • 封装/外壳TO-220-3

其它信息

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