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NDS351N相关型号

  • MC33164DM-5R2

    监控器 开路漏极或开路集电极 1 通道 8-MSOP

  • NCV33064P-5RP

    监控器 开路漏极或开路集电极 1 通道 TO-92（TO-226）

  • 74VHC245SJ

    收发器，非反相 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-SOP

  • 74VCX32244GX

    缓冲器，非反向 8 元件 4 位每元件 三态 Output 96-FBGA（13.5x5.5）

  • 74VCX164245G

    收发器，非反相 2 元件 8 位每元件 三态 Output 54-FBGA（5.5x8）

  • 74VCX162244GX

    缓冲器，非反向 4 元件 4 位每元件 三态 Output 54-FBGA（5.5x8）

  • 74VCX162244G

    缓冲器，非反向 4 元件 4 位每元件 三态 Output 54-FBGA（5.5x8）

  • FQP55N06

    通孔 N 通道 60 V 55A（Tc） 133W（Tc） TO-220-3

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NDS351N

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 N 通道 30 V 1.1A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.1A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）160 毫欧 @ 1.4A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）3.5 nC @ 5 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）140 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）500mW（Ta）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

其它信息

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