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MC10H135FNG相关型号

  • FDS6294..

    功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 13 A, 0.0113 ohm, SOIC, 表面安装

  • NTMD4840NR2G.

    双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 5.5 A, 0.016 ohm, SOIC, 表面安装

  • FQP8P10.

    功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-220, 通孔

  • PCP1302-TD-H.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -3A, SOT-89-3

  • ATP114-TL-H.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -55A, ATPAK-3

  • CPH3462-TL-W.

    场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 1A, CPH-3

  • NTJS4151PT1G.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.2A, SC-88

  • FDD6637.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -35V, -13A

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • MC10H135FNG

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：触发器 2 元件 JK 型 1 位 正边沿 20-LCC（J 形引线）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列10H
  • 包装管件
  • 功能设置（预设）和复位
  • 类型JK 型
  • 输出类型补充型
  • 元件数2
  • 每个元件位数1
  • 时钟频率250 MHz
  • 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟-
  • 触发器类型正边沿
  • 电流 - 输出高、低-
  • 电压 - 供电-4.9V ~ -5.46V
  • 电流 - 静态 (Iq)68 mA
  • 工作温度0°C ~ 75°C（TA）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装20-PLCC（9x9）
  • 封装/外壳20-LCC（J 形引线）

其它信息

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