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NDS9952A-F011相关型号
  • FCPF16N60NT

    通孔 N 通道 600 V 16A(Tc) 35.7W(Tc) TO-220F-3

  • NTMFS5C677NLT1G

    表面贴装型 N 通道 60 V 11A(Ta),36A(Tc) 3.5W(Ta),37W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

  • NVHL095N65S3HF

    通孔 N 通道 650 V 36A(Tc) 272W(Tc) TO-247-3

  • 74VHC112M

    触发器 2 元件 JK 型 1 位 负边沿 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 74LVX174MX

    触发器 1 元件 D 型 6 位 正边沿 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 74LVX112MX

    触发器 2 元件 JK 型 1 位 负边沿 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 74LVX244MTC

    缓冲器,非反向 2 元件 4 位每元件 三态 Output 20-TSSOP

  • 74LVX112M

    触发器 2 元件 JK 型 1 位 负边沿 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • NDS9952A-F011

  • 制造商:onsemi
  • 批号:最新的
  • 描述:MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 2.9A 900mW(Ta) 表面贴装型 8-SOIC
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:5000+

优势价格,NDS9952A-F011的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • FET 类型N 和 P 沟道
  • FET 功能标准
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.9A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)80 毫欧 @ 1A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)27nC @ 10V,5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)320pF @ 10V
  • 功率 - 最大值900mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC

其它信息

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