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NVHL110N65S3HF相关型号

  • NTMTS0D7N06CLTXG

    表面贴装型 N 通道 60 V 62.2A（Ta），477A（Tc） 5W（Ta），294.6W（Tc） 8-DFNW（8.3x8.4）

  • NTMTS0D7N06CTXG

    表面贴装型 N 通道 60 V 60.5A（Ta），464A（Tc） 5W（Ta），294.6W（Tc） 8-DFNW（8.3x8.4）

  • NVHL082N65S3F

    通孔 N 通道 650 V 40A（Tc） 313W（Tc） TO-247-3

  • NTHL082N65S3HF

    通孔 N 通道 650 V 40A（Tc） 313W（Tc） TO-247-3

  • FCH47N60-F133

    通孔 N 通道 600 V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247-3

  • FDMA1029PZ

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 3.1A 700mW 表面贴装型 7-SOIC

  • FW4604-TL-2W

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 6A，4.5A 1.8W 表面贴装型 8-SOIC

  • NTUD3174NZT5G

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 220mA（Ta） 125mW（Ta） 表面贴装型 SOT-963

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NVHL110N65S3HF

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：通孔 N 通道 650 V 30A（Tc） 240W（Tc） TO-247-3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

优势价格，NVHL110N65S3HF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列SuperFET? III, FRFET?
  • 包装管件
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）110 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）5V @ 740μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）58 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2753 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）240W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-3
  • 封装/外壳TO-247-3

其它信息

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