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FDS4953相关型号

  • 2SA2125-S-TD-H

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 50 V 3 A 390MHz 3.5 W 表面贴装型 PCP

  • 2SA2125-S-TD-E

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 50 V 3 A 390MHz 3.5 W 表面贴装型 PCP

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  • FJNS4214RTA

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 200 MHz 300 mW 通孔 TO-92S

  • FJV4110RMTF

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 40 V 100 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-23-3

  • FJV4108RMTF

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-23-3

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FDS4953

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 30V 5A 900mW 表面贴装型 8-SOIC
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列PowerTrench?
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）55 毫欧 @ 5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）9nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）528pF @ 15V
  • 功率 - 最大值900mW
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装8-SOIC

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