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NVMYS003N08LHTWG相关型号

  • FDP2572

    通孔 N 通道 150 V 4A（Ta），29A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3

  • FDP3652

    通孔 N 通道 100 V 9A（Ta），61A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3

  • NTB6410ANT4G

    表面贴装型 N 通道 100 V 76A（Tc） 188W（Tc） D2PAK

  • FDPF085N10A

    通孔 N 通道 100 V 40A（Tc） 33.3W（Tc） TO-220F-3

  • NTTFS5116PLTWG

    表面贴装型 P 通道 60 V 5.7A（Ta） 3.2W（Ta），40W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）

  • SVD5867NLT4G

    表面贴装型 N 通道 60 V 22A（Tc） 3.3W（Ta），43W（Tc） DPAK-3

  • HUF75645P3

    通孔 N 通道 100 V 75A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3

  • FDMA291P

    表面贴装型 P 通道 20 V 6.6A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NVMYS003N08LHTWG

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 N 通道 80 V 22A（Ta），132A（Tc） 3.8W（Ta），137W（Tc） LFPAK4（5x6）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2890

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)22A（Ta），132A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）3.3 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 183μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）64 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）3735 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）3.8W（Ta），137W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LFPAK4（5x6）
  • 封装/外壳SOT-1023，4-LFPAK

其它信息

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