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NDS8958相关型号

  • MUN5232T1

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 202 mW 表面贴装型 SC-70-3（SOT323）

  • FJX2222ATF

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 325 mW 表面贴装型 SOT-323

  • FJV992PMTF

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 120 V 50 mA 50MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3

  • BC857AMTF

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 150MHz 310 mW 表面贴装型 SOT-23-3

  • BC80716MTF

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 800 mA 100MHz 310 mW 表面贴装型 SOT-23-3

  • KSD5041QTA

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 20 V 5 A 150MHz 750 mW 通孔 TO-92-3

  • MUN5231T1

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 202 mW 表面贴装型 SC-70-3（SOT323）

  • MUN5216T1

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 202 mW 表面贴装型 SC-70-3（SOT323）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NDS8958

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 5.3A，4A 900mW 表面贴装型 8-SOIC
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 和 P 沟道
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.3A，4A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）35 毫欧 @ 5.3A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）30nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）720pF @ 15V
  • 功率 - 最大值900mW
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装8-SOIC

其它信息

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