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FDS4501H相关型号

  • NGTB30N60IHLWG

    IGBT 沟槽型场截止 600 V 60 A 250 W 通孔 TO-247-3

  • NGTB30N120LWG

    IGBT 沟槽型场截止 1200 V 60 A 560 W 通孔 TO-247-3

  • NGTB30N120IHSWG

    IGBT 沟槽型场截止 1200 V 60 A 192 W 通孔 TO-247-3

  • NGTB30N120IHLWG

    IGBT 沟槽型场截止 1200 V 60 A 260 W 通孔 TO-247-3

  • NGTB25N120FLWG

    IGBT 沟槽型场截止 1200 V 50 A 192 W 通孔 TO-247-3

  • NCP81258MNTBG

    半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-DFN（2x2）

  • FDB2614

    表面贴装型 N 通道 200 V 62A（Tc） 260W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NGTB15N60R2FG

    IGBT 600 V 24 A 54 W 通孔 TO-220F-3FS

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FDS4501H

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V，20V 9.3A，5.6A 1W 表面贴装型 8-SOIC
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列PowerTrench?
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 和 P 沟道
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）30V，20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9.3A，5.6A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）18 毫欧 @ 9.3A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）27nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1958pF @ 10V
  • 功率 - 最大值1W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装8-SOIC

其它信息

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