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FDMC4435BZ-F127-L701相关型号

  • EFC2K101NUZTDG

    MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 12V 15A（Ta） 1.4W（Ta） 表面贴装型 6-WLCSP（1.79x1.18）

  • MC10E111FNG

    时钟 扇出缓冲器（分配） IC 1：9 800 MHz 28-LCC（J 形引线）

  • FDMD8630

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 38A（Ta），167A（Tc） 2.3W（Ta），43W（Tc） 表面贴装型 8-Power 5x6

  • NTMFD5C462NLT1G

    MOSFET - 阵列

  • FDMS8095AC

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 150V 6.2A，1A 2.3W 表面贴装型 8-MLP（5x6），Power56

  • NVMFD5C446NWFT1G

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 40V 24A（Ta），127A（Tc） 3.2W（Ta），89W（Tc） 表面贴装型 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）

  • FDMS7700S

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 12A，22A 1W 表面贴装型 Power56

  • NTTFD022N10C

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 100V 6A（Ta），24A（Tc） 1.7W（Ta），26W（Tc） 表面贴装型 12-WQFN（3.3x3.3）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FDMC4435BZ-F127-L701

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 P 通道 30 V 8.5A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），31W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：3000

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列PowerTrench?
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8.5A（Ta），18A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）20 毫欧 @ 8.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）53 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2045 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）2.3W（Ta），31W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-MLP（3.3x3.3）
  • 封装/外壳8-PowerWDFN

其它信息

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