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NTLGD3502NT2G相关型号

  • FMS6G20US60

    IGBT 模块 三相反相器 600 V 20 A 89 W 底座安装 25PM-AA

  • FMG1G50US60H

    IGBT 模块 单路 600 V 50 A 250 W 底座安装 7PM-GA

  • FMG1G50US60L

    IGBT 模块 单路 600 V 50 A 250 W 底座安装 7PM-GA

  • FMS6G20US60S

    IGBT 模块 三相反相器 600 V 20 A 89 W 底座安装 25PM-AA

  • NVBLS0D5N04CTXG

    表面贴装型 N 通道 40 V 65A（Ta），300A（Tc） 4.3W（Ta），198.4W（Tc） 8-HPSOF

  • FMS6G15US60

    IGBT 模块 三相反相器 600 V 15 A 73 W 底座安装 25PM-AA

  • FMS7G15US60S

    IGBT 模块 三相反相器，带制动器 600 V 15 A 73 W 底座安装 25PM-AA

  • FMS6G15US60S

    IGBT 模块 三相反相器 600 V 15 A 73 W 底座安装 25PM-AA

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NTLGD3502NT2G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 4.3A，3.6A 1.74W 表面贴装型 6-DFN（3x3）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型2 N-通道（双）
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.3A，3.6A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）60 毫欧 @ 4.3A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）4nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）480pF @ 10V
  • 功率 - 最大值1.74W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装6-DFN（3x3）

其它信息

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