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NVMFS040N10MCLT1G相关型号

  • KST10MTF

    RF 晶体管 NPN 25V 650MHz 350mW 表面贴装型 SOT-23-3

  • NSVF4020SG4T1G

    RF 晶体管 NPN 8V 150mA 16GHz 400mW 表面贴装型 SC-82FL/MCPH4

  • NB3N3020DTR2G

    Clock Multiplier IC 210MHz 1 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

  • MMBT918LT1G

    RF 晶体管 NPN 15V 50mA 600MHz 225mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

  • P2042AF-08TR

    视频 调制器 IC 8-TSSOP 封装

  • CM5100-01CP

    视频 IC 3-MCP 封装

  • 2SC5226A-4-TL-E

    RF 晶体管 NPN 10V 70mA 7GHz 150mW 表面贴装型 SC-70 / MCP3

  • 2SC5226A-5-TL-E

    RF 晶体管 NPN 10V 70mA 7GHz 150mW 表面贴装型 3-MCP

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NVMFS040N10MCLT1G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 N 通道 100 V 6.5A（Ta），21A（Tc） 3.5W（Ta），36W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：3883

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.5A（Ta），21A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）38 毫欧 @ 5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 26μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）8.3 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）500 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）3.5W（Ta），36W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  • 封装/外壳8-PowerTDFN，5 引线

其它信息

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