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NCP308MT190TBG相关型号

  • FDMS3600S

    MOSFET - 阵列

  • NSTJD4001NT1G

    MOSFET - 阵列

  • FDMS001N025DSD

    MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）非对称型 25V 19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） 2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc） 表面贴装型 8-PQFN（5x6）

  • MC74VHC125DTR2G

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-TSSOP

  • MC74HC240ADTR2G

    缓冲器，反向 2 元件 4 位每元件 三态 Output 20-TSSOP

  • FDG6332C-F085P

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 700mA（Ta），600mA（Ta） 300mW（Ta） 表面贴装型 SC-70-6

  • 74LCX574MTC

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

  • DM74ALS175M

    触发器 1 元件 D 型 4 位 正边沿 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NCP308MT190TBG

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：监控器 开路漏极或开路集电极 1 通道 6-WDFN（2x2）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

优势价格，NCP308MT190TBG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • 类型简单复位/加电复位
  • 受监控电压数1
  • 电压 - 阈值1.9V
  • 输出开路漏极或开路集电极
  • 复位低有效
  • 复位超时标准为 1.2s
  • 工作温度-40°C ~ 125°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装6-WDFN（2x2）

其它信息

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