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FDS6930B相关型号

  • FQD5N30TF

    表面贴装型 N 通道 300 V 4.4A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） TO-252AA

  • FQB630TM

    表面贴装型 N 通道 200 V 9A（Tc） 3.13W（Ta），78W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • FQD5N30TM

    表面贴装型 N 通道 300 V 4.4A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） TO-252AA

  • FQB20N06LTM

    表面贴装型 N 通道 60 V 21A（Tc） 3.75W（Ta），53W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • FQB7N10LTM

    表面贴装型 N 通道 100 V 7.3A（Tc） 3.75W（Ta），40W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • FQPF9N25CT

    通孔 N 通道 250 V 8.8A（Tc） 38W（Tc） TO-220F-3

  • FQP14N15

    通孔 N 通道 150 V 14.4A（Tc） 104W（Tc） TO-220-3

  • FQPF17N08L

    通孔 N 通道 80 V 11.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220F-3

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FDS6930B

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 5.5A 900mW 表面贴装型 8-SOIC
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：8378

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列PowerTrench?
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型2 N-通道（双）
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.5A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）38 毫欧 @ 5.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）3.8nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）412pF @ 15V
  • 功率 - 最大值900mW
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装8-SOIC

其它信息

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