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ECH8693R-TL-W相关型号

  • NDB7050L

    表面贴装型 N 通道 50 V 75A（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NDB7050

    表面贴装型 N 通道 50 V 75A（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NDB6060

    表面贴装型 N 通道 60 V 48A（Tc） 100W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NDB603AL

    表面贴装型 N 通道 30 V 25A（Tc） 50W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NLV74VHC126DR2G

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-SOIC

  • NLV74VHC125DR2G

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-SOIC

  • NLV74VHC126DTR2G

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-TSSOP

  • MC74HCT365ADR2G

    缓冲器，非反向 1 元件 6 位每元件 三态 Output 16-SOIC

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • ECH8693R-TL-W

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 24V 14A 1.4W 表面贴装型 SOT-28FL/ECH8
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型2 N 沟道（双）共漏
  • FET 功能逻辑电平栅极，2.5V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）24V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)14A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）7 毫欧 @ 5A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）13nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）-
  • 功率 - 最大值1.4W
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装SOT-28FL/ECH8

其它信息

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