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NTJD1155LT1G相关型号
ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NTJD1155LT1G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 8V 1.3A 400mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：107375

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 和 P 沟道
  • FET 功能标准
  • 漏源电压（Vdss）8V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.3A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）175 毫欧 @ 1.2A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）-
  • 功率 - 最大值400mW
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装SC-88/SC70-6/SOT-363

其它信息

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