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ECH8654-TL-H相关型号

  • NGB18N40ACLBT4G

    NGB18N40ACLBT4G, IGBT Transistor, 18 A 430 V, 1MHz, 3-Pin D2PAK

  • NCP6334BMTAATBGOS

    onsemi 升压/降压转换器

  • NCV4299AD250R2G

    ON Semiconductor 线性稳压器, NCV4系列, 输出5 V, SOIC封装, 最大输出150mA, 表面贴装

  • NCP700BMT18TBG

    ON Semiconductor 线性稳压器, 输出1.8 V, WDFN封装, 最大输出200mA, 表面贴装

  • LC06511F9BMXTAG

    onsemi 充电控制器, 锂离子电池, 6引脚, X2DFN6封装

  • LC06511F7AMXTAG

    onsemi 充电控制器, 锂离子电池, 6引脚, -0.3 至 12.0 v, 6μA, X2DFN6封装

  • LC06511F3BMXTAG

    onsemi 充电控制器, 锂离子电池, 6引脚, X2DFN6封装

  • LC06511F6BMXTAG

    onsemi 充电控制器, 锂离子电池, 6引脚, X2DFN6封装

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • ECH8654-TL-H

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 5A 1.5W 表面贴装型 8-ECH
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：189

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）38 毫欧 @ 3A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）11nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）960pF @ 10V
  • 功率 - 最大值1.5W
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装8-ECH

其它信息

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