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FDB045AN08A0-F085相关型号

  • KSP2222ATA.

    晶体管, 双极性晶体管, NPN, 40V V(BR)CEO, 600MA I

  • NSVMUN5234T1G

    晶体管 双极预偏置/数字, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm

  • BC559CTA.

    晶体管, 双极性晶体管, PNP, 30V V(BR)CEO, 100MA I(

  • 74ABT16541CSSC_Q

    Buffer/Line Driver 16-CH Non-Inverting 3-ST BiCMOS 48-Pin SSOP Rail

  • 74LVTH244MSA_Q

    Buffer/Line Driver 8-CH Non-Inverting 3-ST BiCMOS 20-Pin SSOP Rail

  • DM7407NX_NL

    Buffer/Driver 6-CH Non-Inverting Open Collector Bipolar 14-Pin PDIP T/R

  • DM7407NX

    Buffer/Driver 6-CH Non-Inverting Open Collector Bipolar 14-Pin PDIP T/R

  • 74VHC125MTC_NL

    Buffer/Line Driver 4-CH Non-Inverting 3-ST CMOS 14-Pin TSSOP Rail

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FDB045AN08A0-F085

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 N 通道 75 V 19A（Ta） 310W（Tc） D2PAK（TO-263）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

优势价格，FDB045AN08A0-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列Automotive, AEC-Q101, PowerTrench?
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）75 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)19A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4.5 毫欧 @ 80A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）138 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）6600 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）310W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装D2PAK（TO-263）
  • 封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

其它信息

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