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FDP2572相关型号

  • FQB7N30TM

    表面贴装型 N 通道 300 V 7A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • FQPF9N25

    通孔 N 通道 250 V 6.7A（Tc） 45W（Tc） TO-220F-3

  • FQP2NA90

    通孔 N 通道 900 V 2.8A（Tc） 107W（Tc） TO-220-3

  • FDZ202P

    表面贴装型 P 通道 20 V 5.5A（Ta） 2W（Ta） 12-BGA（2x2.5）

  • FQPF50N06

    通孔 N 通道 60 V 31A（Tc） 47W（Tc） TO-220F-3

  • HUF76423D3S

    表面贴装型 N 通道 60 V 20A（Tc） 85W（Tc） TO-252AA

  • HUFA75617D3ST

    表面贴装型 N 通道 100 V 16A（Tc） 64W（Tc） TO-252AA

  • FQP4N90C

    通孔 N 通道 900 V 4A（Tc） 140W（Tc） TO-220-3

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FDP2572

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：通孔 N 通道 150 V 4A（Ta），29A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：286

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列PowerTrench?
  • 包装管件
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A（Ta），29A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）54 毫欧 @ 9A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）34 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1770 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）135W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220-3
  • 封装/外壳TO-220-3

其它信息

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