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FDC654P相关型号

  • SMMBT4403LT1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 40 V 600 mA 200MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

  • MMBT5401LT3G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 150 V 500 mA 300MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

  • BC846BWT1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 65 V 100 mA 100MHz 150 mW 表面贴装型 SC-70-3（SOT323）

  • MJ21194G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 250 V 16 A 4MHz 250 W 通孔 TO-204（TO-3）

  • 2N6284G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 100 V 20 A 160 W 通孔 TO-204（TO-3）

  • MJD122T4G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 100 V 8 A 4MHz 1.75 W 表面贴装型 DPAK

  • 2SA2125-TD-E

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 50 V 3 A 390MHz 3.5 W 表面贴装型 PCP

  • NSV1C201LT1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 100 V 2 A 110MHz 490 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FDC654P

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 P 通道 30 V 3.6A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：7945

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列PowerTrench?
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.6A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）75 毫欧 @ 3.6A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）9 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）298 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）1.6W（Ta）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SuperSOT?-6
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

其它信息

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