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FDD86326相关型号

  • FDS6294..

    功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 13 A, 0.0113 ohm, SOIC, 表面安装

  • NTMD4840NR2G.

    双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 5.5 A, 0.016 ohm, SOIC, 表面安装

  • FQP8P10.

    功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-220, 通孔

  • PCP1302-TD-H.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -3A, SOT-89-3

  • ATP114-TL-H.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -55A, ATPAK-3

  • CPH3462-TL-W.

    场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 1A, CPH-3

  • NTJS4151PT1G.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.2A, SC-88

  • FDD6637.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -35V, -13A

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FDD86326

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 N 通道 80 V 8A（Ta），37A（Tc） 3.1W（Ta），62W（Tc） TO-252AA
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：9810

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列PowerTrench?
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A（Ta），37A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）23 毫欧 @ 8A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）19 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1035 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）3.1W（Ta），62W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252AA
  • 封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

其它信息

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