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NVBG020N120SC1相关型号

  • FQD9N08TM

    表面贴装型 N 通道 80 V 7.4A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-252AA

  • FQPF2P25

    通孔 P 通道 250 V 1.8A（Tc） 32W（Tc） TO-220F-3

  • FQD1N60CTF

    表面贴装型 N 通道 600 V 1A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） TO-252AA

  • FQU13N10TU

    通孔 N 通道 100 V 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） I-PAK

  • FQD3P20TM

    表面贴装型 P 通道 200 V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） TO-252AA

  • FQPF4N25

    通孔 N 通道 250 V 2.8A（Tc） 32W（Tc） TO-220F-3

  • FQPF13N10L

    通孔 N 通道 100 V 8.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220F-3

  • FQD3P20TF

    表面贴装型 P 通道 200 V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） TO-252AA

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NVBG020N120SC1

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 N 通道 1200 V 8.6A（Ta），98A（Tc） 3.7W（Ta），468W（Tc） D2PAK-7
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：1554

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8.6A（Ta），98A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）28毫欧 @ 60A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4.3V @ 20mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）220 nC @ 20 V
  • Vgs（最大值）+25V，-15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2943 pF @ 800 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）3.7W（Ta），468W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装D2PAK-7
  • 封装/外壳TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA

其它信息

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