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FDB16AN08A0相关型号

  • SBC846BPDW1T1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 NPN，PNP 65V 100mA 100MHz 380mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363

  • EMT1DXV6T5G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 PNP（双） 60V 100mA 140MHz 500mW 表面贴装型 SOT-563

  • TIP31ATU_F129

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 60 V 3 A 3MHz 2 W 通孔 TO-220-3

  • FQB34P10TM

    表面贴装型 P 通道 100 V 33.5A（Tc） 3.75W（Ta），155W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • 495220TU_SN00120

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 325 V 4 A 40 W 通孔 TO-220-3

  • PN100_G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 250MHz 625 mW 通孔 TO-92-3

  • MMBT3906_F080

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 40 V 200 mA 250MHz 350 mW 表面贴装型 SOT-23-3

  • PZT3904_F081

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 200 mA 300MHz 1 W 表面贴装型 SOT-223-4

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FDB16AN08A0

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 N 通道 75 V 9A（Ta），58A（Tc） 135W（Tc） D2PAK（TO-263）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：800

优势价格，FDB16AN08A0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列PowerTrench?
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）75 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9A（Ta），58A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）16 毫欧 @ 58A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）42 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1857 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）135W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装D2PAK（TO-263）
  • 封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

其它信息

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