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FQB30N06LTM相关型号

  • SBCP56T1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 130MHz 1.5 W 表面贴装型 SOT-223（TO-261）

  • SMMBT5401LT1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 150 V 500 mA 300MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

  • KSC5019MTA

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 10 V 2 A 150MHz 750 mW 通孔 TO-92-3

  • CPH3115-TL-H

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 30 V 1.5 A 450MHz 900 mW 表面贴装型 3-CPH

  • FMMT549

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 30 V 1 A 100MHz 500 mW 表面贴装型 SOT-23-3

  • NSS40300MZ4T1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 40 V 3 A 160MHz 2 W 表面贴装型 SOT-223（TO-261）

  • 2SC3648S-TD-E

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 160 V 700 mA 120MHz 500 mW 表面贴装型 PCP

  • NSS40301MZ4T3G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 3 A 215MHz 2 W 表面贴装型 SOT-223（TO-261）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FQB30N06LTM

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 N 通道 60 V 32A（Tc） 3.75W（Ta），79W（Tc） D2PAK（TO-263）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列QFET?
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)32A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）35 毫欧 @ 16A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）20 nC @ 5 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1040 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）3.75W（Ta），79W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装D2PAK（TO-263）
  • 封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

其它信息

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