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FMG1G75US60H相关型号

  • FDS6294..

    功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 13 A, 0.0113 ohm, SOIC, 表面安装

  • NTMD4840NR2G.

    双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 5.5 A, 0.016 ohm, SOIC, 表面安装

  • FQP8P10.

    功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-220, 通孔

  • PCP1302-TD-H.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -3A, SOT-89-3

  • ATP114-TL-H.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -55A, ATPAK-3

  • CPH3462-TL-W.

    场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 1A, CPH-3

  • NTJS4151PT1G.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.2A, SC-88

  • FDD6637.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -35V, -13A

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FMG1G75US60H

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：IGBT 模块 单路 600 V 75 A 310 W 底座安装 7PM-GA
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装散装
  • IGBT 类型-
  • 配置单路
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）75 A
  • 功率 - 最大值310 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）2.8V @ 15V，75A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）250 μA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)7.056 nF @ 30 V
  • 输入标准
  • NTC 热敏电阻无
  • 工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳7PM-GA
  • 供应商器件封装7PM-GA

其它信息

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