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NCP3418BDR2G相关型号

  • 74ALVC2245WMX

    收发器，非反相 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-SOIC

  • HUFA76629D3

    通孔 N 通道 100 V 20A（Tc） 110W（Tc） I-PAK

  • HUFA76629D3S

    表面贴装型 N 通道 100 V 20A（Tc） 110W（Tc） TO-252AA

  • 74LCXH2245MTCX

    收发器，非反相 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-TSSOP

  • 74LCXH2245MTC

    收发器，非反相 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-TSSOP

  • HUFA75337S3ST

    表面贴装型 N 通道 55 V 75A（Tc） 175W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • HUF75639S3S

    表面贴装型 N 通道 100 V 56A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • HUF76439S3S

    表面贴装型 N 通道 60 V 75A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NCP3418BDR2G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

优势价格，NCP3418BDR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • 驱动配置半桥
  • 通道类型同步
  • 驱动器数2
  • 栅极类型N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电4.6V ~ 13.2V
  • 逻辑电压?- VIL，VIH0.8V，2V
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）-
  • 输入类型非反相
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）30 V
  • 上升/下降时间（典型值）16ns，11ns
  • 工作温度0°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装8-SOIC

其它信息

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