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NTD250N65S3H相关型号

  • NSVB1706DMW5T1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 187mW 表面贴装型 SC-88A（SC-70-5/SOT-353）

  • 2N4401_J25Z

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 250MHz 625 mW 通孔 TO-92-3

  • 2N4401_J18Z

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 250MHz 625 mW 通孔 TO-92-3

  • 2N4124TAR

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 25 V 200 mA 300MHz 625 mW 通孔 TO-92-3

  • 2N4124_S00Z

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 25 V 200 mA 300MHz 625 mW 通孔 TO-92-3

  • 2N4401_J05Z

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 250MHz 625 mW 通孔 TO-92-3

  • 2N4401_D81Z

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 250MHz 625 mW 通孔 TO-92-3

  • NSBC143EDXV6T1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 500mW 表面贴装型 SOT-563

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NTD250N65S3H

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 N 通道 650 V 13A（Tc） 106W（Tc） D-PAK（TO-252）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2500

优势价格，NTD250N65S3H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列SuperFET? III
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)13A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）250 毫欧 @ 6.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 1.1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）24 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1261 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）106W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装D-PAK（TO-252）
  • 封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

其它信息

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