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NXH200T120H3Q2F2STG相关型号

  • NV890100PDR2GEVB

    NV890100 - DC/DC，步降 1，非隔离 输出评估板

  • NCP170AMX280TBG

    PMIC - 稳压器 - 线性 正 固定 1 输出 150mA 4-XDFN（1x1）

  • NCP170AMX180TBG

    PMIC - 稳压器 - 线性 正 固定 1 输出 150mA 4-XDFN（1x1）

  • NCP170AMX135TCG

    PMIC - 稳压器 - 线性 正 固定 1 输出 150mA 4-XDFN（1x1）

  • NCP715SN30T1G

    PMIC - 稳压器 - 线性 正 固定 1 输出 200mA 5-TSOP

  • NCP715SN12T1G

    PMIC - 稳压器 - 线性 正 固定 1 输出 200mA 5-TSOP

  • LM317LZRMG

    PMIC - 稳压器 - 线性 正 可调式 1 输出 100mA TO-92（TO-226）

  • NCP715SN15T1G

    PMIC - 稳压器 - 线性 正 固定 1 输出 200mA 5-TSOP

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NXH200T120H3Q2F2STG

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 330 A 679 W 底座安装 56-PIM/Q2PACK（93x47）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装托盘
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 配置半桥
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）330 A
  • 功率 - 最大值679 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）2.3V @ 15V，200A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）500 μA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)35.615 nF @ 25 V
  • 输入标准
  • NTC 热敏电阻无
  • 工作温度-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装56-PIM/Q2PACK（93x47）

其它信息

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