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NTLJS3D0N02P8ZTAG相关型号

  • NSV40302PDR2G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 NPN，PNP 40V 3A 100MHz 653mW 表面贴装型 8-SOIC

  • MCR100-3RLG

    SCR 100 V 800 mA 灵敏栅极 通孔 TO-92（TO-226）

  • SMUN5111DW1T1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 PNP（双） 50V 100mA 385mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363

  • 2N5064RLRMG

    SCR 200 V 800 mA 灵敏栅极 通孔 TO-92（TO-226）

  • NSM4002MR6T1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 NPN（双） 40V，45V 200mA，500mA 300MHz，100MHz 500mW 表面贴装型 SC-74

  • TP00203G

    SCR 标准恢复型 通孔 TO-92（TO-226）

  • NSS40302PDR2G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 NPN，PNP 40V 3A 100MHz 653mW 表面贴装型 8-SOIC

  • NTH027N65S3F-F155

    通孔 N 通道 650 V 75A（Tc） 595W（Tc） TO-247-3

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NTLJS3D0N02P8ZTAG

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：表面贴装型 N 通道 20 V 12.1A（Ta） 860mW（Ta） 6-PQFN（2x2）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2152

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12.1A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）3.8mOhm @ 10A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）21 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2165 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）860mW（Ta）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-PQFN（2x2）
  • 封装/外壳6-PowerWDFN

其它信息

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