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FAN7361M相关型号

  • FDS6294..

    功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 13 A, 0.0113 ohm, SOIC, 表面安装

  • NTMD4840NR2G.

    双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 5.5 A, 0.016 ohm, SOIC, 表面安装

  • FQP8P10.

    功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-220, 通孔

  • PCP1302-TD-H.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -3A, SOT-89-3

  • ATP114-TL-H.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -55A, ATPAK-3

  • CPH3462-TL-W.

    场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 1A, CPH-3

  • NTJS4151PT1G.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.2A, SC-88

  • FDD6637.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -35V, -13A

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FAN7361M

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：高端 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • 驱动配置高端
  • 通道类型单路
  • 驱动器数1
  • 栅极类型IGBT，N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电10V ~ 20V
  • 逻辑电压?- VIL，VIH1V，3.6V
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）250mA，500mA
  • 输入类型非反相
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）600 V
  • 上升/下降时间（典型值）70ns，30ns
  • 工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装8-SOIC

其它信息

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