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NTPF082N65S3F相关型号

  • NB3N551MNR4G

    时钟 扇出缓冲器（分配） IC 1：4 180 MHz 8-VFDFN 裸露焊盘

  • NB3N551DR2G

    时钟 扇出缓冲器（分配） IC 1：4 180 MHz 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • ASX340AT2C00XPED0-KY-DRBR

    带处理器的 CMOS 图像传感器 728H x 560V 5.6μm x 5.6μm 63-IBGA（7.5x7.5）

  • MT9V034D00STMC13CC1-200

    带处理器的 CMOS 图像传感器 752H x 480V 6μm x 6μm 48-CLCC（11.43x11.43）

  • ASX340AT3C00XPED0-KP-DPBR

    带处理器的 CMOS 图像传感器 728H x 560V 5.6μm x 5.6μm 63-IBGA（7.5x7.5）

  • MT9V024D00XTRC13CC1-200

    CMOS 图像传感器 752H x 480V 6μm x 6μm 52-IBGA（9x9）

  • NB6L11MMNG

    时钟 扇出缓冲器（分配） IC 1：2 4 GHz 16-VFQFN 裸露焊盘

  • NB7L14MNG

    时钟 扇出缓冲器（分配） IC 1：4 8 GHz 16-VFQFN 裸露焊盘

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NTPF082N65S3F

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：通孔 N 通道 650 V 40A（Tc） 48W（Tc） TO-220F-3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：656

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列SuperFET? III
  • 包装管件
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）82 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）5V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）70 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）3240 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）48W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220F-3
  • 封装/外壳TO-220-3 整包

其它信息

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