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PN4303_D26Z相关型号

  • MC1413PG

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 7 NPN 达林顿 50V 500mA 通孔 16-PDIP

  • MC1413BPG

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 7 NPN 达林顿 50V 500mA 通孔 16-PDIP

  • SCH2202-TL-E

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 NPN（双） 15V 600mA 330MHz 400mW 表面贴装型 6-SCH

  • MCH6542-TL-E

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 NPN，PNP 30V 300mA 380MHz 55mW 表面贴装型 6-MCPH

  • MCH5541-TL-E

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 NPN，PNP（耦合发射器） 30V 700mA 540MHZ，520MHz 500mW 表面贴装型 5-MCPH

  • CPH6532-TL-E

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 NPN（双） 50V 1A 420MHz 1.1W 表面贴装型 6-CPH

  • CPH6501-TL-E

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 NPN（双） 30V 1.5A 500MHz 1.2W 表面贴装型 6-CPH

  • FDMS8622

    表面贴装型 N 通道 100 V 4.8A（Ta），16.5A（Tc） 2.5W（Ta），31W（Tc） 8-PQFN（5x6）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • PN4303_D26Z

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：JFET N 通道 30 V 625 mW 通孔 TO-92-3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 通道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)30 V
  • 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)4 mA @ 15 V
  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)6 V @ 1 nA
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）-
  • 功率 - 最大值625 mW
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
  • 供应商器件封装TO-92-3

其它信息

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