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J109-D26Z相关型号

  • SGW5N60RUFDTM

    IGBT 600 V 8 A 60 W 表面贴装型 D2PAK（TO-263）

  • SGW13N60UFDTM

    IGBT 600 V 13 A 60 W 表面贴装型 D2PAK（TO-263）

  • SGS5N60RUFDTU

    IGBT 600 V 8 A 35 W 通孔 TO-220F-3

  • MCR218-006

    SCR 400 V 8 A 标准恢复型 通孔 TO-220AB

  • FDB024N06

    表面贴装型 N 通道 60 V 120A（Tc） 395W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • HGTD3N60C3S9A

    IGBT 600 V 6 A 33 W 表面贴装型 TO-252AA

  • SGS10N60RUFTU

    IGBT 600 V 16 A 55 W 通孔 TO-220F-3

  • SGP23N60UFTU

    IGBT 600 V 23 A 100 W 通孔 TO-220-3

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • J109-D26Z

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：JFET N 通道 25 V 625 mW 通孔 TO-92-3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5624

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型N 通道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)25 V
  • 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)40 mA @ 15 V
  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)2 V @ 10 nA
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）-
  • 电阻 - RDS(On)12 Ohms
  • 功率 - 最大值625 mW
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
  • 供应商器件封装TO-92-3

其它信息

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