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NCP303150MNTWG相关型号
  • NLSF3T126MNR2G

    缓冲器,非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 16-QFN(3x3)

  • 74LCX245WMX

    收发器,非反相 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-SOIC

  • 74LCXZ16244MTDX

    缓冲器,非反向 4 元件 4 位每元件 三态 Output 48-TSSOP

  • 74LCXH16244MTDX

    缓冲器,非反向 4 元件 4 位每元件 三态 Output 48-TSSOP

  • 74LCX162244MTDX

    缓冲器,非反向 4 元件 4 位每元件 三态 Output 48-TSSOP

  • 74LCXH162244MTX

    缓冲器,非反向 4 元件 4 位每元件 三态 Output 48-TSSOP

  • 74LVTH125M

    缓冲器,非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-SOIC

  • 74VHC125M

    缓冲器,非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-SOIC

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • NCP303150MNTWG

  • 制造商:onsemi
  • 批号:最新的
  • 描述:半桥,低压侧 栅极驱动器 IC 非反相 39-PQFN(5x6)
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2774

优势价格,NCP303150MNTWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 驱动配置半桥,低压侧
  • 通道类型单路
  • 驱动器数2
  • 栅极类型N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电4.5V ~ 5.5V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH0.65V,2.7V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)100mA,100mA
  • 输入类型非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)30 V
  • 上升/下降时间(典型值)17ns,26ns
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳39-PowerVFQFN
  • 供应商器件封装39-PQFN(5x6)

其它信息

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