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NGTB30N60IHLWG相关型号

  • NLV74HC259ADTR2G

    D 型，可寻址 1 通道 1：8 IC 标准 16-TSSOP

  • NSVBCH807-40LT1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 500 mA 100MHz 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

  • NSVBCH817-40LT1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

  • NSVBCH807-25LT1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 500 mA 100MHz 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

  • 74LVT16373MTDX

    D 型，可寻址 2 通道 8：8 IC 三态 48-TSSOP

  • NC7SZ373P6X

    D 型透明锁存器 1 通道 1：1 IC 三态 SC-88（SC-70-6）

  • NC7SZ373P6X-L22347

    D 型透明锁存器 1 通道 1：1 IC 三态 SC-70-6

  • NSVMMBT5087LT3G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 50 V 50 mA 40MHz 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NGTB30N60IHLWG

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：IGBT 沟槽型场截止 600 V 60 A 250 W 通孔 TO-247-3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）60 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)150 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）2.3V @ 15V，30A
  • 功率 - 最大值250 W
  • 开关能量280μJ（关）
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷130 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值70ns/140ns
  • 测试条件400V，30A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr)400 ns
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247-3

其它信息

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