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FQU13N06LTU-WS相关型号

  • NVMYS022N06CTWG

    T6 60V SL LFPAK4 5X6

  • NTTFS5C670NLTWG

    表面贴装型 N 通道 60 V 16A（Ta），70A（Tc） 3.2W（Ta），63W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）

  • NVTYS006N06CLTWG

    表面贴装型 N 通道 60 V 16A（Ta），71A（Tc） 3.2W（Ta），63W（Tc） 8-LFPAK

  • MC74LCX374DWR2G

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

  • MC74LCX574DWR2G

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

  • MC74ACT273DWR2G

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

  • MM74HC574MTCX

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

  • MC74VHCT574ADTRG

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FQU13N06LTU-WS

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：通孔 N 通道 60 V 11A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-PAK
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：32544

优势价格，FQU13N06LTU-WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • onsemi
  • QFET?
  • 包装管件
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）115 毫欧 @ 5.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）6.4 nC @ 5 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）350 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）2.5W（Ta），28W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装I-PAK
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

其它信息

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