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FGP5N60UFDTU相关型号

  • MCH6663-TL-H

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 1.8A，1.5A 800mW 表面贴装型 6-MCPH

  • DM74LS377N

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-DIP（0.300"，7.62mm）

  • DM74LS174M

    触发器 1 元件 D 型 6 位 正边沿 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • DM74AS874NT

    触发器 2 元件 D 型 4 位 正边沿 24-DIP（0.300"，7.62mm）

  • MCH6662-TL-H

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 2A 800mW 表面贴装型 6-MCPH

  • MCH6660-TL-H

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 2A，1.5A 800mW 表面贴装型 6-MCPH

  • EMH2411R-TL-H

    MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 30V 5A 1.4W 表面贴装型 8-EMH

  • EMH2314-TL-H

    MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 12V 5A 1.2W 表面贴装型 8-EMH

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FGP5N60UFDTU

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：IGBT 场截止 600 V 10 A 81 W 通孔 TO-220-3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

优势价格，FGP5N60UFDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • IGBT 类型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）10 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)15 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）2.4V @ 15V，5A
  • 功率 - 最大值81 W
  • 开关能量75μJ（开），59μJ（关）
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷19.5 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值6ns/44ns
  • 测试条件400V，5A，20 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr)30 ns
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商器件封装TO-220-3

其它信息

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