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NSVEMT1DXV6T5G相关型号

  • MPSA14RLRA

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 30 V 500 mA 125MHz 625 mW 通孔 TO-92（TO-226）

  • MPSA13RLRA

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 30 V 500 mA 125MHz 625 mW 通孔 TO-92（TO-226）

  • MPSA56RLRA

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单

  • NSBA114TDP6T5G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式（双） 50V 100mA 408mW 表面贴装型 SOT-963

  • MMBTA05LT1

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单

  • MPS2907ARLRA

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单

  • PN2907ARLRA

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 60 V 600 mA 200MHz 625 mW 通孔 TO-92（TO-226）

  • EMG2DXV5T5G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 230mW 表面贴装型 SOT-553

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • NSVEMT1DXV6T5G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 PNP（双） 60V 100mA 140MHz 500mW 表面贴装型 SOT-563
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • 晶体管类型2 PNP（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）100mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）60V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）500mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）500pA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）120 @ 1mA，6V
  • 功率 - 最大值500mW
  • 频率 - 跃迁140MHz
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-563，SOT-666
  • 供应商器件封装SOT-563

其它信息

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