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FGA90N30TU相关型号

  • NOIV1SN012KA-GDI

    CMOS 图像传感器 4096H x 4096V 4.5μm x 4.5μm 355-μPGA

  • NOIV1SE016KA-GDI

    CMOS 图像传感器 4096H x 3072V 4.5μm x 4.5μm 355-μPGA

  • NOIV1SE012KA-GDI

    CMOS 图像传感器 4096H x 4096V 4.5μm x 4.5μm 355-μPGA

  • FDPF13N50FT

    通孔 N 通道 500 V 12A（Tc） 42W（Tc） TO-220F-3

  • NCP81168MNTBG

    半桥 栅极驱动器 IC 非反相 8-DFN（2x2）

  • MT9V126IA3XTC-DR1

    带处理器的 CMOS 图像传感器 680H x 512V 5.6μm x 5.6μm 63-IBGA（9x9）

  • NOIP1SN5000A-QDI

    带处理器的 CMOS 图像传感器 2592H x 2048V 4.8μm x 4.8μm 84-LCC（19x19）

  • NOIP1SN2000A-QDI

    带处理器的 CMOS 图像传感器 1920H x 1200V 4.5μm x 4.5μm 84-LCC（19x19）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FGA90N30TU

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：IGBT 300 V 90 A 219 W 通孔 TO-3P
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）300 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）90 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)220 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）1.4V @ 15V，20A
  • 功率 - 最大值219 W
  • 开关能量-
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷87 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值-
  • 测试条件-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商器件封装TO-3P

其它信息

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