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SGW13N60UFDTM相关型号

  • NDB7050L

    表面贴装型 N 通道 50 V 75A（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NDB7050

    表面贴装型 N 通道 50 V 75A（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NDB6060

    表面贴装型 N 通道 60 V 48A（Tc） 100W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NDB603AL

    表面贴装型 N 通道 30 V 25A（Tc） 50W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • NLV74VHC126DR2G

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-SOIC

  • NLV74VHC125DR2G

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-SOIC

  • NLV74VHC126DTR2G

    缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-TSSOP

  • MC74HCT365ADR2G

    缓冲器，非反向 1 元件 6 位每元件 三态 Output 16-SOIC

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • SGW13N60UFDTM

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：IGBT 600 V 13 A 60 W 表面贴装型 D2PAK（TO-263）
  • PDF下载：
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）13 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)52 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）2.6V @ 15V，6.5A
  • 功率 - 最大值60 W
  • 开关能量85μJ（开），95μJ（关）
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷25 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值20ns/70ns
  • 测试条件300V，6.5A，50 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr)55 ns
  • 工作温度-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装D2PAK（TO-263）

其它信息

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