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HGT1S7N60C3DS9A相关型号

  • MMUN2134LT1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 246 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

  • BC547ARL

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 100 mA 300MHz 625 mW 通孔 TO-92（TO-226）

  • BC546BZL1

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 65 V 100 mA 300MHz 625 mW 通孔 TO-92（TO-226）

  • BC517ZL1G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 30 V 1 A 200MHz 625 mW 通孔 TO-92（TO-226）

  • BC517ZL1

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 30 V 1 A 200MHz 625 mW 通孔 TO-92（TO-226）

  • MUN2211T3G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 230 mW 表面贴装型 SC-59

  • BC517RL1

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 30 V 1 A 200MHz 625 mW 通孔 TO-92（TO-226）

  • BC517G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 30 V 1 A 200MHz 625 mW 通孔 TO-92（TO-226）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • HGT1S7N60C3DS9A

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：IGBT 600 V 14 A 60 W 表面贴装型 D2PAK（TO-263）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

优势价格，HGT1S7N60C3DS9A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • onsemi
  • -
  • 卷带（TR）
  • 停产
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）14 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)56 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）2V @ 15V，7A
  • 功率 - 最大值60 W
  • 开关能量165μJ（开），600μJ（关）
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷23 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值-
  • 测试条件480V，7A，50欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr)37 ns
  • 工作温度-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装D2PAK（TO-263）
  • HGT1S7N60

其它信息

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