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FGB20N6S2相关型号

  • FDMD8260LET60

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 60V 15A 1.1W 表面贴装型 12-Power3.3x5

  • VEC2616-TL-H-Z

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 60V 3A，2.5A 1W 表面贴装型 SOT-28FL/VEC8

  • NTMFD4C20NT3G

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 9.1A，13.7A 1.09W，1.15W 表面贴装型 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）

  • MC10EP35D

    触发器 1 元件 JK 型 1 位 正边沿 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • MC10EP35DT

    触发器 1 元件 JK 型 1 位 正边沿 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）

  • 74F273SJ

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

  • NTZD3155CT1H

    MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 540mA，430mA 250mW 表面贴装型 SOT-563

  • 74F175SJ

    触发器 1 元件 D 型 4 位 正边沿 16-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FGB20N6S2

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：IGBT 600 V 28 A 125 W 表面贴装型 D2PAK（TO-263）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）28 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)40 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）2.7V @ 15V，7A
  • 功率 - 最大值125 W
  • 开关能量25μJ（开），58μJ（关）
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷30 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值7.7ns/87ns
  • 测试条件390V，7A，25 欧姆，15V
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装D2PAK（TO-263）

其它信息

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