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FGA6560WDF相关型号
  • FQB7N30TM

    表面贴装型 N 通道 300 V 7A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) D2PAK(TO-263)

  • FQPF9N25

    通孔 N 通道 250 V 6.7A(Tc) 45W(Tc) TO-220F-3

  • FQP2NA90

    通孔 N 通道 900 V 2.8A(Tc) 107W(Tc) TO-220-3

  • FDZ202P

    表面贴装型 P 通道 20 V 5.5A(Ta) 2W(Ta) 12-BGA(2x2.5)

  • FQPF50N06

    通孔 N 通道 60 V 31A(Tc) 47W(Tc) TO-220F-3

  • HUF76423D3S

    表面贴装型 N 通道 60 V 20A(Tc) 85W(Tc) TO-252AA

  • HUFA75617D3ST

    表面贴装型 N 通道 100 V 16A(Tc) 64W(Tc) TO-252AA

  • FQP4N90C

    通孔 N 通道 900 V 4A(Tc) 140W(Tc) TO-220-3

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • FGA6560WDF

  • 制造商:onsemi
  • 批号:最新的
  • 描述:IGBT 沟槽型场截止 650 V 120 A 306 W 通孔 TO-3PN
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)120 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)180 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.3V @ 15V,60A
  • 功率 - 最大值306 W
  • 开关能量2.46mJ(开),520μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷84 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值25.6ns/71ns
  • 测试条件400V,60A,6 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)110 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商器件封装TO-3PN

其它信息

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