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KA1M0565RTU相关型号
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    IGBT 沟槽型场截止 650 V 120 A 306 W 通孔 TO-3PN

  • NJVMJD44H11D3T4G

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 8 A 85MHz 20 W 表面贴装型 DPAK

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ON(安森美)热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • KA1M0565RTU

  • 制造商:onsemi
  • 批号:最新的
  • 描述:离线转换器 反激,正激 拓扑 67kHz TO-220F-4L
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:5000+

优势价格,KA1M0565RTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列FPS?
  • 包装管件
  • 输出隔离非隔离
  • 内部开关
  • 电压 - 击穿650V
  • 拓扑反激,正激
  • 电压 - 启动15 V
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)10V ~ 30V
  • 占空比77%
  • 频率 - 开关67kHz
  • 故障保护限流,过载,超温,过压
  • 控制特性-
  • 工作温度-25°C ~ 85°C(TA)
  • 封装/外壳TO-220-4 整包
  • 供应商器件封装TO-220F-4L
  • 安装类型通孔

其它信息

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