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FJNS4209RBU相关型号

  • NCP5210MNR2G

    - 控制器，DDR 稳压器 IC 3 输出 20-DFN（6x5）

  • NCP5208DR2G

    - 控制器，DDR 稳压器 IC 2 输出 8-SOIC

  • MC33470DWR2G

    - 控制器，Intel Pentium? II 稳压器 IC 1 输出 20-SOIC

  • CS5157HGDR16G

    - 控制器，Intel Pentium? II 稳压器 IC 2 输出 16-SOIC

  • CM3202-02DE

    - 转换器，DDR 稳压器 IC 2 输出 8-WDFN（3x3）

  • NTR4101PT1G

    表面贴装型 P 通道 20 V 1.8A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

  • CM3202-00DE

    - 转换器，DDR 稳压器 IC 2 输出 8-WDFN（3x3）

  • CM3212-02DE

    - 转换器，DDR 稳压器 IC 2 输出 8-WDFN（3x3）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • FJNS4209RBU

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 40 V 100 mA 200 MHz 300 mW 通孔 TO-92S
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装散装
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）100 mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）40 V
  • 电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）100 @ 1mA，5V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）300mV @ 1mA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）100nA（ICBO）
  • 频率 - 跃迁200 MHz
  • 功率 - 最大值300 mW
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3，TO-92-3 短体
  • 供应商器件封装TO-92S

其它信息

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