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MMUN2111LT1G相关型号

  • FQB7N30TM

    表面贴装型 N 通道 300 V 7A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） D2PAK（TO-263）

  • FQPF9N25

    通孔 N 通道 250 V 6.7A（Tc） 45W（Tc） TO-220F-3

  • FQP2NA90

    通孔 N 通道 900 V 2.8A（Tc） 107W（Tc） TO-220-3

  • FDZ202P

    表面贴装型 P 通道 20 V 5.5A（Ta） 2W（Ta） 12-BGA（2x2.5）

  • FQPF50N06

    通孔 N 通道 60 V 31A（Tc） 47W（Tc） TO-220F-3

  • HUF76423D3S

    表面贴装型 N 通道 60 V 20A（Tc） 85W（Tc） TO-252AA

  • HUFA75617D3ST

    表面贴装型 N 通道 100 V 16A（Tc） 64W（Tc） TO-252AA

  • FQP4N90C

    通孔 N 通道 900 V 4A（Tc） 140W（Tc） TO-220-3

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • MMUN2111LT1G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 246 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：426831

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）100 mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）50 V
  • 电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）35 @ 5mA，10V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）250mV @ 300μA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）500nA
  • 功率 - 最大值246 mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装SOT-23-3（TO-236）

其它信息

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