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MMUN2213LT1G相关型号

  • 2SB817C-1E

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 140 V 12 A 10MHz 120 W 通孔 TO-3P-3L

  • FJNS4204RTA

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 200 MHz 300 mW 通孔 TO-92S

  • 2SB1203T-H-TL-E

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 50 V 5 A 130MHz 1 W 表面贴装型 TP-FA

  • FJNS4201RBU

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 200 MHz 300 mW 通孔 TO-92S

  • 2SB1203S-H-TL-E

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 50 V 5 A 130MHz 1 W 表面贴装型 TP-FA

  • FJNS4209RBU

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 40 V 100 mA 200 MHz 300 mW 通孔 TO-92S

  • 2SA2210-EPN-1EX

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 50 V 20 A 140MHz 2 W 通孔 TO-220F-3SG

  • FJNS4209RTA

    晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) PNP - 预偏压 40 V 100 mA 200 MHz 300 mW 通孔 TO-92S

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • MMUN2213LT1G

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 246 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：19654

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）100 mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）50 V
  • 电阻器 - 基极 (R1)47 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2)47 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）80 @ 5mA，10V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）250mV @ 300μA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）500nA
  • 功率 - 最大值246 mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装SOT-23-3（TO-236）

其它信息

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