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KSC3569YTU相关型号

  • NGB18N40ACLBT4G

    NGB18N40ACLBT4G, IGBT Transistor, 18 A 430 V, 1MHz, 3-Pin D2PAK

  • NCP6334BMTAATBGOS

    onsemi 升压/降压转换器

  • NCV4299AD250R2G

    ON Semiconductor 线性稳压器, NCV4系列, 输出5 V, SOIC封装, 最大输出150mA, 表面贴装

  • NCP700BMT18TBG

    ON Semiconductor 线性稳压器, 输出1.8 V, WDFN封装, 最大输出200mA, 表面贴装

  • LC06511F9BMXTAG

    onsemi 充电控制器, 锂离子电池, 6引脚, X2DFN6封装

  • LC06511F7AMXTAG

    onsemi 充电控制器, 锂离子电池, 6引脚, -0.3 至 12.0 v, 6μA, X2DFN6封装

  • LC06511F3BMXTAG

    onsemi 充电控制器, 锂离子电池, 6引脚, X2DFN6封装

  • LC06511F6BMXTAG

    onsemi 充电控制器, 锂离子电池, 6引脚, X2DFN6封装

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • KSC3569YTU

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 400 V 2 A 15 W 通孔 TO-220F-3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装管件
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）2 A
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）400 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）1V @ 100mA，500mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）10μA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）40 @ 100mA，5V
  • 功率 - 最大值15 W
  • 频率 - 跃迁-
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装TO-220F-3

其它信息

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