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2SC5501A-4-TR-E相关型号

  • MC74HC540ADWR2G

    缓冲器，反向 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-SOIC

  • MC74HCT541ADTR2G

    缓冲器，非反向 1 元件 8 位每元件 三态 Output 20-TSSOP

  • MMDF1N05ER2G

    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 50V 2A 2W 表面贴装型 8-SOIC

  • NVMFS4C01NT3G

    表面贴装型 N 通道 30 V 49A（Ta），319A（Tc） 3.84W（Ta），161W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

  • 74F794PC

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 74F574SC

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

  • 74F273PC

    触发器 1 元件 D 型 8 位 正边沿 20-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 74F175SC

    触发器 1 元件 D 型 4 位 正边沿 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • 2SC5501A-4-TR-E

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：RF 晶体管 NPN 10V 70mA 7GHz 500mW 表面贴装型 4-MCP
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

优势价格，2SC5501A-4-TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装卷带（TR）
  • 晶体管类型NPN
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）10V
  • 频率 - 跃迁7GHz
  • 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）1dB @ 1GHz
  • 增益13dB
  • 功率 - 最大值500mW
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）90 @ 20mA，5V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）70mA
  • 工作温度150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-82A，SOT-343
  • 供应商器件封装4-MCP

其它信息

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