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TIS93相关型号

  • FDS6294..

    功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 13 A, 0.0113 ohm, SOIC, 表面安装

  • NTMD4840NR2G.

    双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 5.5 A, 0.016 ohm, SOIC, 表面安装

  • FQP8P10.

    功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-220, 通孔

  • PCP1302-TD-H.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -3A, SOT-89-3

  • ATP114-TL-H.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -55A, ATPAK-3

  • CPH3462-TL-W.

    场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 1A, CPH-3

  • NTJS4151PT1G.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.2A, SC-88

  • FDD6637.

    场效应管, MOSFET, P沟道, -35V, -13A

ON(安森美)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • TIS93

  • 制造商：onsemi
  • 批号：最新的
  • 描述：晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 40 V 800 mA 625 mW 通孔 TO-92-3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商onsemi
  • 系列-
  • 包装散装
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）800 mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）40 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）250mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）100nA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）100 @ 50mA，2V
  • 功率 - 最大值625 mW
  • 频率 - 跃迁-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
  • 供应商器件封装TO-92-3

其它信息

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